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VSIA和FSA首度合作开发IP质量标准 [2003-09-25] |
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| 无晶圆厂半导体协会(FSA)和虚拟插槽创新联盟(VSIA)9月22日共同宣布,双方已经达成协议,将共享资源,开发和上市IP内核的质量标准,此举表明可复用知识产权对无晶圆厂芯片制造商越来越重要。
这项工作将在VSIA开发工作组(DWG)内部进行。VSIA一段时间以前已经具有实用的Quali...
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纳米碳管跨导性能比MOS高十倍,NEC希望2010年开始商用 [2003-09-25] |
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| NEC公司近日表示,该公司开发出“稳定”的纳米碳管(Carbon Nanotube transistor, CNT)制造工艺,据称CNT可以获得比硅MOS晶体管强十倍的跨导性能。
NEC公司表示将继续进行CNT控制技术、电气特性控制、器件结构设计以及制造工艺开发,希望在2010实现CNT商用的目标。跨导性能...
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拓?产业研究所在上海纵论数字消费电子发展大趋势 [2003-09-25] |
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| (作者:倪兆明)
由台湾民间高科技产业研究公司拓??产业研究所主办的“热门消费电子产品趋势论坛”日前在上海拉开了其中国大陆巡回论坛的第一站。拓??产业研究所所长陈清文作了“数字消费电子产品潮流展望”的主题报告。
陈清文认为,曾经推动世界电子产业发展的“PC时代...
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ARM与Cadence共推信号完整性参考方法,打造芯片设计链 [2003-09-25] |
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| Cadence Design Systems公司与ARM公司日前宣布,推出基于Cadence Encounter数字IC设计平台的ARM-Cadence Reference Methodology。ARM-Cadence Reference Methodology包含对信号完整性流程的支持,其融合了CeltIC串扰分析与修正以及VoltageStorm电源网络分析功能等Encounte...
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Intel为EDGE网络升级手机处理器芯片 [2003-09-25] |
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| Intel最近将其Manitoba手机处理器的算法和处理速度进行了升级,以使Manitoba可以适应增强数据率GSM服务EDGE(nhanced Data rates for GSM Evolution)协议的要求。
这种新型Manitoba芯片是专为那些希望从GSM/GPRS转向EDGE的开发者而设计的,该芯片可以帮助他们降低开发成本...
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研华2003年全球合作伙伴会议将于10月23日召开 [2003-09-25] |
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| 研华科技(Advantech)日前宣布,将于10月23日至10月25日在上海暨昆山展开为期3天的“研华全球合作伙伴会议暨新技术应用展示会”,据称此次会议为研华迄今为止在中国最大型活动, 会中将邀集研华全球重要的策略合作伙伴如微软公司及300多位长期合作的经营伙伴,同中国产学界领...
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第四届中国IMT?2000移动通信国际论坛在京召开 [2003-09-25] |
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| 为期两天的“第四届中国(北京)IMT—2000移动通信国际论坛” 2003年9月22日在北京中国大饭店召开,中国信息产业部副部长奚国华亲临开幕式并致辞,表示了对会议和对下一代移动通信发展的高度关注。
随着全球电信行业的复苏,国内外电信业不断加大第三代移动通信技术和标准的...
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AMD开发出45纳米节点工艺的三栅极晶体管 [2003-09-24] |
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| AMD公司日前宣布推出采用下一代绝缘硅和金属栅极技术开发的新型三栅极晶体管(triple-gate transistors)。该公司在最近的国际固态设备及材料研讨会上披露了这种三栅极晶体管的技术细节,该晶体管栅极长度为20纳米,以45纳米节点工艺制成。
AMD称,该晶体管比以往推出的多栅...
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虽遭英特尔的抛弃,157纳米光刻技术仍然在发展 [2003-09-24] |
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| 尽管对157纳米光刻技术的死亡有太多的报告,根据最近由Selete和International Sematech主办的研讨会表明,还没有另一种更好的技术来取代它,阻止该技术在45纳米节点进行部署。
此次8月在日本横滨举行的国际光刻技术专家会议上,220位来宾参加了60多场报告会,探讨开发157纳...
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Cadence与特许半导体携手提供90纳米IC设计解决方案 [2003-09-24] |
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| Cadence Design Systems公司与特许半导体(Chartered)制造公司日前宣布,采用Cadence的纳米级设计解决方案,两公司携手提供一种实现Chartered NanoAccess 90纳米制造技术从设计到量产的优化途径。
据称,它们将向双方客户提供经过代工验证的、适用于Cadencea Fire&Ice QXC...
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